Набиране на средства 15 септември 2024 – 1 октомври 2024
Относно набирането на средства
търсене на книга
книги
Набиране на средства:
57.9% събрани
Впиши се
Впиши се
оторизираните потребители имат достъп до:
лични препоръки
Телеграм бот
хронология на изтеглянията
изпрати до Email или Kindle
управление на колекцията
запазване в любими
Лично
Заявки за книги
Изучаване
Z-Recommend
Списъци с книги
Най-популярни
Категории
Участие
Направете дарение
Качвания
Litera Library
Дарете хартиени книги
Добавяне на хартиени книги
Search paper books
Моят LITERA Point
Търсене на термини
Main
Търсене на термини
search
1
Физика и технология гетероструктур, оптика квантовых наноструктур
Федоров А.В.
gaas
ϕ
hω
exp
ω0
cucl
2π
phys
cdse
mbe
ω1
hω1
γ1
ω2
eν
ν1
2ε
rex
2hω
algaas
hγ
inas
mocvd
nacl
quantum
vν
photonic
rqw
zns
γ2
γd
a3b5
eex
xas
γ0
γpd
γph
ωd
1γ
crystals
optical
a.v
cdte
cubr
ea0
evs
iγ
mvj
sio2
tpd
Език:
russian
Файл:
PDF, 4.28 MB
Вашите тагове:
0
/
0
russian
2
Элементы пятнадцатимерного векторного исчисления
Коротков А
векторов
abc
произведение
определителей
трех
векторное
произведения
e10
e11
e12
e13
e14
e15
векторного
порядка
алгебры
индексов
третьего
чисел
пятнадцатимерной
компоненты
σijk
четвертого
анти
вектор
записи
подстановки
причем
a0b0
импульса
определяется
равны
семи
b0a1
алгебр
перестановке
т.е
пространств
размерности
столбика
форме
aibj
вектора
векторные
векторных
знак
исчисления
нулю
нуля
семимерных
Език:
russian
Файл:
PDF, 633 KB
Вашите тагове:
0
/
0
russian
3
Физические основы полупроводниковой нанотехнологии
Белявский В.И.
роста
mbe
атомов
подложки
поверхности
рис
диффузии
полупроводниковых
соединений
структур
movpe
соединения
выращивания
компонентов
структуры
gaas
существенно
межатомных
слоев
являются
alxga1
xas
кристаллическую
поверхностной
расстояний
реакции
смеси
температуры
атома
атомы
взаимной
газовой
галлия
границ
молекул
пленок
решетку
слой
состава
составляет
температура
температуре
ch3
высокой
гетерограниц
гетерограницы
границы
квантовой
наиболее
области
Година:
1998
Език:
russian
Файл:
PDF, 143 KB
Вашите тагове:
0
/
0
russian, 1998
4
Физическое материаловедение полупроводников: Рабочая программа дисциплины
ТГУ
состояния
систем
диаграммы
материалов
диаграмм
полупроводников
лаврентьева
основные
полупроводники
л.г
полупроводниковых
основы
металлургия
общий
томск
изд
классификации
кристаллохимической
распределения
свойства
содержащих
соединения
тгу
термодинамика
двухкомпонентных
примеси
твердой
фазе
физико
химические
бинарные
введение
двухкомпонент
классификация
материаловедение
металл
ных
положения
равновесия
сечения
стеклообразные
термодинамики
технологии
химическая
химической
22с
a2b6
a3b5
влияние
высокотемпературные
Година:
2005
Език:
russian
Файл:
PDF, 172 KB
Вашите тагове:
0
/
0
russian, 2005
1
Следвайте
тази връзка
или потърсете бот „@BotFather“ в Telegram
2
Изпратете команда /newbot
3
Въведете име за вашия бот
4
Въведете потребителско име за бота
5
Копирайте последното съобщение от BotFather и го поставете тук
×
×